控制与决策

作者：李艳恺,陈晨,刘丁

单位：西安理工大学 自动化与信息工程学院，西安 710048;西安理工大学 晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心， 西安 710048;西安理工大学 陕西省现代装备绿色制造协同创新中心， 西安 710048,,西安理工大学 自动化与信息工程学院，西安 710048;西安理工大学 晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心， 西安 710048,,西安理工大学 自动化与信息工程学院，西安 710048;西安理工大学 晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心， 西安 710048,

关键词：硅单晶生长系统;Markov跳变过程;有限时间;$H_{\infty} $控制;状态观测器;LMI技术

基金：国家自然科学基金项目(62473310, 62127809)；陕西省教育厅科研计划项目(23JY053)；陕西省科技厅重点研发计划项目(2024GX-YBXM-298)；中国博士后科学基金项目(2021MD703879, 2022T150524).

研究系统状态不完全可测且存在外界干扰情况下Markov跳变离散时间硅单晶生长系统的有限时间$H_{\infty}$控制问题. 首先, 充分考虑硅单晶生长过程由于干扰、建模误差、测量噪声诱导的随机因素, 建立基于Markov跳变离散时间硅单晶生长系统模型; 然后, 结合实际硅单晶生长过程测量输出信息, 构造状态观测器和控制器; 接着, 根据Markov跳变理论和有限时间$H_{\infty}$控制理论得到闭环离散时间硅单晶生长系统有限时间有界且满足相应$H_{\infty}$性能的充分条件, 运用线性矩阵不等式(LMI)技术给出控制器和观测器增益的求解方法; 最后, 通过实际硅单晶生长系统模型参数验证所提出控制方案的有效性.

来源：2026年第3期

《控制与决策》期刊编辑部

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